P55平台内存超频实战

DDR3内存各参数的设置技巧

DDR3内存的延时参数一般有17个，具体视不同的主板BIOS可选项而定。对普通超频玩家来说，只需掌握前面的六个参数设置技巧即可。

DDR3内存重要的六个参数

这六个参数的顺序一般是固定的：Command Rate(简称“CR”)、CAS Latency(简称“CL”)、RAS to CAS Delay(简称“tRCD”或“tRTC”)、RAS Precharge(简称“tRP”)、RAS Active Time(简称“tRAS”)、Row Refresh Cycle Time(简称“tRFC”)。一般来说，这六个值设置得越低，系统的内存性能就越强；而把这些参数值设置得越高，内存通常可以运行在越高的频率下(“高频高参”)。因此，DDR3内存超频的技巧就在于如何在内存时序参数和内存频率之间找到佳的平衡点。

CR参数在AMD 754/939平台上早就为大家所熟悉，而在英特尔LGA 1156平台上，Command Rate设置值增加为：1T、2T、3T。并且该系数对系统性能的影响远远没有在AMD平台上那么明显，即使把CR设置为保守的3T，对内存性能的影响也非常地微弱，其重要性要低于CL、tRCD、tRP等。在其余几个时序参数中，CL参数对系统性能影响大，CL参数越低那么内存的读写速度越快，但同时也增加了内存的不稳定性。

对大多数DDR3 1066/1333内存来说，CL设置为“8”或者“9”较为合适。当然，如果打算将内存超频至2000MHz以上的话，CL值就要相应地调高到“10”甚至“11”，这样可以提高超频的成功率。tRCD和tRP这两个参数对性能的影响相对较小，其数值越高，内存的稳定性越好。因此当内存无法运行在理想的CL值下面时，首先应该尝试调高CR值，如果还是不稳定的话再考虑调高tRCD和tRP的值，后才考虑调高CL值。

将DDR3内存的电压设置为1.7V通常可以取得不错的超频幅度

例如一根DDR3 1333内存可以稳定运行在9-9-9-27@1T(分别对应CL、tRCD、tRP、tRAS、CR，下同)的时序下，我们将其超频到DDR3 1800后运行不稳定。这时首先应该将时序参数设置为9-9-9-27@2T 甚至3T。如果不稳定的话再更改为9-10-10-27@1T。如果在9-10-10-27@3T的情况下内存仍无法稳定运行时才考虑10-9-9-27@1T的参数设置。tRAS和tRFC这两个参数对超频幅度影响不大，这里建议先设置为较大值，例如27和98。等确定了前面三个参数的稳定值之后，再逐步将这两个值调低至24和88，以获得进一步的性能提升。总的来说，对系统性能的影响大小关系为：内存频率>CL>tRCD≥tRP>CR>tRAS>tRFC。