尔必达称其拥有小的2Gb移动DDR DRAM
2010-05-17小烈MCPLive.cn
日系内存厂商尔必达，在近日高调宣布该公司正在研制世界上小的2Gb (gigabit) DDR mobile DRAM芯片，采用的40nm制造工艺技术。这款芯片不但在大小上小于50mm，而且主要针对的如智能手机这种移动手持设备。
尔必达40nm 移动DDR DRAM工作频率为400MHz，消耗工作电压在1.2V或1.8V，采用60/90-ball FBGA或PoP-type FBGA封装设计。尔必达预期下个月开始试产2Gb DRAM，今年七月份开始在广岛工厂正式量产。
