相比2003年的K8系列处理器,“上海”的发布无疑要低调很多。从“巴塞罗那”到“上海”,皓龙处理器的本质并没有太大的改变,核心架构也基本相同。可以这样认为,“上海”是“巴塞罗那”的优化版和加强版。相比“巴塞罗那”,“上海”在架构上有以下七个方面做出了重要改进:
AMD展示的45nm芯片的电子显微镜图片
在英特尔发布45nm处理器近一年之后,AMD终于推出了它们的45nm产品。和英特尔采用的193nm干蚀刻、高-k栅介质和金属栅极不同的是,AMD选择了沉浸式SOI光刻技术。沉浸式光刻技术在硅片和终成像镜头之间充满液体以缩短波长的一种光刻技术,这种技术提升了聚焦程度并改善影像精确度,进而加强芯片层级的效能与制程效能。目前AMD应用的是193nm沉浸式光刻技术。
SOI技术我们已经介绍过多次了,AMD和IBM合作开发的SOI技术首次被应用在K8处理器上,它的全称是Silicon-On-Insulator(绝缘衬底上的硅技术),其优点为工艺简单、集成密度高、寄生电容小、速度快等。除此之外,AMD也引用了超低-K介质和高-k栅介质来提升产品的性能和频率。超低-K介质主要目的是降低金属层间的电容量以及线间延迟(与传统低介电值介电层相比可减少约15%),并且对进一步提升处理器效能与减少能源耗损非常重要。
之前流传的“上海”处理器的核心架构图,清晰可见6MB超大缓存占据了较大的面积
从实际产品来看,AMD本次的45nm SOI沉浸式光刻技术非常成熟,产品起跳主频比较高,可以轻松攀升至3GHz大关。并且,AMD之前的超频演示,将基于同样制造技术的Phenom Ⅱ处理器通过液氮成功超频至6GHz大关,并顺利运行《Crysis》游戏。
相比之下,Core i7 965 Extreme处理器虽然也被超频至5.7GHz,但是已经无法进入系统。除去架构因素外,AMD处理器这次在主频之争中和英特尔还有好戏上演。