英特尔DDR4平台发展动向解密

改善的超频性能

Haswell-E和之前的顶级处理器一样，都会推出不锁倍频的版本。除了这些版本外，Haswell-E在超频方面还做出了一些改进，核心倍频高支持80倍、完全解锁内存控制器超频限制、PCH超频支持以1MHz为步进的调节、PEG和DMI倍频比例可选等。总而言之，对超频玩家来说，Haswell-E的可玩性应该很不错。

目前已经曝光的LGA2011-E接口的ES处理器顶盖图，可见大变化在于顶盖上下两侧的“护翼”。

在ComputeX上，很多厂商已经迫不及待的曝光了X99主板。

说起超频，就不得不提及另一个指标：TDP。由于核心数量增加等原因，Haswell-E的TDP功耗比上代IvyBridge-E的130W略有增加。Haswell-E的TDP提高到了140W。为了控制散热，英特尔提供了水冷和风冷散热器供用户选择。

此外，Haswell-E的制程依旧使用了目前为成熟的22nm工艺，并没有使用英特尔下一代处理器将使用的14nm新工艺。之前英特尔在桌面版本的处理器使用的22nm Fin-FET工艺上出现了漏电较高、温度较高等问题，导致Haswell在超频和温度上的表现并不出色，这次Haswell-E的核心面积显然会更大、功耗也会更高，不知道超频表现是否还会受到工艺的限制。

英特尔公布的X99芯片组架构图。

后说一下处理器的接口，Haswell-E使用LGA 2011-E接口，虽然针脚触点还是2011个，但是相比之前IvyBridge-E所使用的LGA 2011-0版本而言，新的LGA 2011-E无论是物理尺寸还是针脚定义都和上代产品完全不同。LGA 2011-E的插槽长度为49.2mm，宽度为38.14mm，比上代产品的长43mm，宽38.5mm更大，因此如果要使用全新的Haswell-E处理器，购买一款新的使用X99芯片组的主板也就必不可少了。

X99：承载Haswell-E的新平台

目前英特尔在HEDT平台上的主板采用的是X79芯片组，而即将搭配Haswell-E的则是X99。由于从SandyBridge-E开始英特尔就将北桥彻底集成在了CPU中，因此芯片组也只是传统意义上的南桥而已，相比前代产品X79，X99的技术改进也并不明显。

作为一款事实上的南桥芯片，X99主要的功能是提供大量的扩展接口，在这一点上X99没有让用户失望。根据英特尔的资料，X99提供了多达14个USB接口，其中6个USB 3.0、8个USB 2.0，此外还有10个SATA 6.0Gbps接口、千兆网卡等接口。X99还自带了8个PCI-E 2.0通道，可以供一些厂商提供诸如SATA-E、M.2等磁盘接口使用。不过需要注意的是，相比CPU内部集成的PCI-E通道，X99芯片组的PCI-E通道是通过带宽为4GB/s的DMI 2.0总线和CPU相连的。如果使用太多设备在南桥连接的话，可能会带来带宽不足的问题，因此高端主板更愿意使用CPU端引出的PCI-E通道来连接诸如高速SSD、千兆网卡等快速设备。

由于X99芯片组只起到南桥的作用，功能不复杂，因此功耗也比较低，TDP功耗只有6.5W，一般主板上使用一个散热片就能解决其散热问题。制程方面，X99芯片组应该使用的是比较老的45nm或者32nm工艺，比CPU工艺要落后很多，但也足够了。

总的来说，英特尔在Haswell-E上的升级依旧只能说是按部就班，几乎没有出现任何革命性的改变。不过考虑到目前整个PC市场的大环境以及英特尔每年谨小慎微的升级步伐，PC已经进入了成熟稳定的发展期，主板芯片组几乎不再会出现什么重大变化了，而这样的态势估计还将持续很久。